超低阻抗表征利用鎖相技術(shù)測量阻抗：

　　基于證明的鎖定技術(shù)的MFLI。采用鎖相技術(shù)的關(guān)鍵強(qiáng)度測量阻抗，同時(shí)測量DUT的相敏電壓和電流。阻抗值由測量電壓除以測量電流而同時(shí)考慮相位給出。采用兩個(gè)基本測量電路中的一個(gè)來完成這個(gè)任務(wù)：一個(gè)有利于高阻抗的兩端設(shè)置和一個(gè)適合大多數(shù)情況并且有利于低阻抗的四端電路。由于超級(jí)電容器將導(dǎo)致ESR占優(yōu)勢區(qū)域的低阻抗值，所以四端測量方法是合適的選擇。

 

　　示意性設(shè)置；DUT由右側(cè)的正弦信號(hào)電壓驅(qū)動(dòng)，測量DUT兩端的電壓降，同時(shí)左側(cè)監(jiān)測電流。另外兩個(gè)引線連接到DUT的兩側(cè)以測量跨過的電壓降。所有的電流都流過LCUR和HCUR連接器，而LPOT和HPOT是無電流的，并且用作電位的無創(chuàng)探針。這種四端裝置有利于測量小阻抗，因?yàn)樗鼘﹄娎|、連接器、焊接點(diǎn)等中的串聯(lián)阻抗的影響不敏感。